产品主要技术参数:
| 晶体结构 |
立方 |
| 晶格常数（A） |
a =12.376 |
| 分子式 |
Gd3Ga5O12 |
熔点（℃） |
1800 |
密度（g/cm3） |
7.05（＋0.04,-0.10） |
莫氏硬度 |
6-7 |
折射率 |
1.95 |
生长方法 |
提拉法 |
基片规格 ：
| 尺寸: |
10x3，10x5，10x10，15x15，20x20， |
| Ф20,Ф1" 等 |
| 厚度: |
0.5mm，1.0mm等 |
| 表面抛光: |
单面或双面 |
| 晶面定向精度: |
±0.5° |
| 边缘定向精度: |
2°（特殊要求可达1°以内） |
| 取向: |
＜100＞，＜110＞，＜111＞等 |
| 斜切晶片： |
可按特定需求，加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜（倾斜角1°～ 45°）的晶片 |
| Ra: |
≤5Å（5µm×5µm） |
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