主要特点及技术指标：
- 外延室:
直径500mm不锈钢球形腔体，装配有靶组件、基片台等部件及多种窗口/观察窗、接口、样品传递（磁传送杆）
- 外延室背底真空度：2～10-8 Pa以上
- 靶组件：
最大可装Φ70mm靶材4块，可制备2英寸外延基片
换靶定位精度：0.1°
靶材自传频率：0.5 ~ 5Hz
- 靶与基片间距:
调节范围：35－95mm
- 基片台：
基片旋转：0 ~ 360°, 0.2 ~ 5Hz
最高工作温度：850 °C
温度起伏：≤ ±0.1 °C
- 红外测温仪：
测温范围：300～1200°C
灵敏度：0.1°C
最小可测面积：Φ2mm
- 四极质谱仪：
最小可测分压：5x10-11Pa
质量范围：2~100amu
灵敏度：0.4/Pa(N)
- 二维激光扫描调节范围：
扫描角度：X,Y - 0° ~ 20°
扫描周期：X - 10 ~ 60s,Y - 30 ~ 120s
光束取向：0° ～ 360°
- 控制计算机：
可建立160个用户（每用户可有40个靶系统硬件组态子目录，每子目录有40个RECIPE工作目录，每RECIPE可有88个STAGE）
- RHEED计算机数据采集和处理系统：
每次可采集存储图像8幅、强度振荡数据点60 000个
数据采样频率：16个/秒、8个/秒、3个/秒、1个/秒
- 活性气体装置：
工作气压范围： 1~ 5 x 10-3 Pa
原子氧浓度：≥10 %
|
