晶体结构

 四方Tetragona(4m):13°C<T<132°C a=3.99 ,c=4.04,(at 26°C)

生长方法

TSSG (Top Seeded Solution Growth) 顶部籽晶法

熔点

1612°C 

折射率

515nm

  633nm 

800nm

n_o

2.4912

2.4160

2.3681

n_e 

2.4247

2.3630

2.3235

透过波长范围

0.43-6.30 mm

电光系数

r^T₁₃=8±2pm/V ?    r^T₃₃=105±10pm/V ?     r^T₄₂=1300±100pm/V

自泵浦相位共轭反射率

（0度切）

50 - 70 % for l = 515nm(Ce: BaTiO₃)

40 - 60 % (PureBaTiO₃) for l = 515nm

50 - 80 % for l = 633nm(Ce: BaTiO₃)

40 - 60 % for l = 633nm (PureBaTiO₃)

二波混频耦合系数  

10^-40  cm^-1  

吸收损失 

  l: 515nm  633nm  800nm

  a: 0.285cm^-1  0.108cm^-1  0.033cm^-1

光折变效应的工作波长  

 Undoped BTO: for visible

 Ce:BTO :480-780nm

 Rh:BTO :for 720-1060nm

光折变级

 3x3x3 mm 2- 4 faces polished & poled

 5x5x5 mm 2- 6 faces polished & poled

 0°及45°切。

基片级

 Size : 5x5x1.0 mm,10x10x1.0 mm or others

 Polishing : 1 or 2 faces polished

 Poling : Substrates with
    <100>，<110>，<111> orientations can not be poled；
    <001> orientation substrate must be poled.