产品主要技术参数:
| 晶系 |
赝立方晶系 黄铜矿Pm3m |
| 晶格常数（ ） |
a=3.790 |
熔点（℃） |
2100 |
密度（g/cm3） |
6.50 |
比热（cal/g℃） |
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莫氏硬度 |
6-6.5 |
热膨胀系数（/℃） |
9.4x10-6 |
介电常数 |
εr= 21 |
特点 |
适于微波电子器件 |
生长方法 |
提拉法 |
基片规格 ：
| 尺寸: |
10x3，10x5，10x10，15x15，，20x15，20x20， |
| Ф15,Ф20，Ф1″，Ф2″,Ф2.6″ |
| 厚度: |
0.5mm，1.0mm |
| 表面抛光: |
单面或双面 |
| 取向： |
＜100＞ ＜110＞ ＜111＞ |
| 晶面定向精度: |
±0.5° |
| 边缘定向精度: |
2°（特殊要求可达1°以内） |
| 斜切晶片： |
可按特定需求，加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜（倾斜角1°－45°）的晶片 |
| Ra: |
≤5Å（5µm×5µm） |
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